شماره قطعه :
DF11MR12W1M1B11BPSA1
شرکت تولید کننده :
Infineon Technologies
شرح :
MOSFET MOD 1200V 50A
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ویژگی FET :
Silicon Carbide (SiC)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
1200V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
22.5 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
5.55V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
124nC @ 15V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
3680pF @ 800V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
AG-EASY1BM-2