شماره قطعه :
SI2311DS-T1-E3
شرکت تولید کننده :
Vishay Siliconix
شرح :
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
8V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
970pF @ 4V
قطع برق (حداکثر) :
710mW (Ta)
دمای کارکرد :
-55°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
SOT-23-3
بسته / کیس :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3