Vishay Siliconix - SIR640ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6419161

SIR640ADP-T1-GE3 قیمت گذاری (USD) [95166قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.41087
  • 3,000 pcs$0.38494

شماره قطعه:
SIR640ADP-T1-GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستور - JFET, دیودها - زنر - تک, دیودها - یکسو کننده ها - تک, دیودها - زنر - آرایه ها, ماژول های درایور برق, دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور), تریستورها - TRIAC and ترانزیستورها - Unjunction قابل برنامه ریزی را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SIR640ADP-T1-GE3 electronic components. SIR640ADP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR640ADP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR640ADP-T1-GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SIR640ADP-T1-GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
سلسله : TrenchFET®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : N-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 40V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 41.6A (Ta), 100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 4240pF @ 20V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PowerPAK® SO-8
بسته / کیس : PowerPAK® SO-8