Infineon Technologies - IPB16CN10N G

KEY Part #: K6407280

[1028قطعه سهام]


    شماره قطعه:
    IPB16CN10N G
    شرکت تولید کننده:
    Infineon Technologies
    توصیف همراه با جزئیات:
    MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    در انبار
    ماندگاری:
    یک سال
    تراشه از:
    هنگ کنگ
    RoHS:
    روش پرداخت:
    راه حمل و نقل:
    دسته بندی های خانوادگی:
    شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - IGBTs - Arrays, تریستورها - SCR, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها, دیودها - یکسو کننده ها - تک, دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور), دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض and ترانزیستور - IGBTs - تک را ارائه می دهد ...
    مزیت رقابتی:
    We specialize in Infineon Technologies IPB16CN10N G electronic components. IPB16CN10N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB16CN10N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB16CN10N G ویژگی های محصول

    شماره قطعه : IPB16CN10N G
    شرکت تولید کننده : Infineon Technologies
    شرح : MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
    سلسله : OptiMOS™
    وضعیت قسمت : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
    تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 100V
    جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 53A (Tc)
    ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 10V
    Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 16.5 mOhm @ 53A, 10V
    Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 4V @ 61µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
    Vgs (حداکثر) : ±20V
    ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 3220pF @ 50V
    ویژگی FET : -
    قطع برق (حداکثر) : 100W (Tc)
    دمای کارکرد : -55°C ~ 175°C (TJ)
    نوع نصب : Surface Mount
    بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : D²PAK (TO-263AB)
    بسته / کیس : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • 2SK3462(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

    • 2SK3342(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.

    • 2SK2883(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM.

    • 2SK2845(TE16L1,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 900V 1A DP.