شرح :
GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE
فن آوری :
GaNFET (Gallium Nitride)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
100V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
1A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
5V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
65 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.91nC @ 5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
90pF @ 50V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
Die