اگر مکان شما ذکر نشده است ، لطفا یکی از موارد زیر را انتخاب کنید:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

اگر مکان شما ذکر نشده است ، لطفا یکی از موارد زیر را انتخاب کنید:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. خانه
  2. محصولات
  3. مدارهای مجتمع (IC)
  4. حافظه
  5. TC58NYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938373

TC58NYG2S0HBAI6 قیمت گذاری (USD) [20269قطعه سهام]

  • 1 pcs$1.88179
  • 10 pcs$1.70551
شماره قطعه:
TC58NYG2S0HBAI6
شرکت تولید کننده:
Toshiba Memory America, Inc.
توصیف همراه با جزئیات:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: تقویت کننده های خطی - تقویت کننده های ویدیویی و ما, جاسازی شده - میکروکنترلرها - برنامه ویژه, منطق - منطق تخصص, PMIC - کنترل کننده های مبادله داغ, اکتساب داده ها - ADC / DAC - هدف ویژه, جمع آوری داده ها - آنالوگ جلویی (AFE), منطق - گیتس و اینورتر - چند منظوره ، قابل تنظیم and جاسازی شده - FPGAs (Array Gate Array Programable F را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI6 electronic components. TC58NYG2S0HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NYG2S0HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG2S0HBAI6 ویژگی های محصول

شماره قطعه : TC58NYG2S0HBAI6
شرکت تولید کننده : Toshiba Memory America, Inc.
شرح : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
سلسله : -
وضعیت قسمت : Active
نوع حافظه : Non-Volatile
قالب حافظه : FLASH
فن آوری : FLASH - NAND (SLC)
اندازه حافظه : 4Gb (512M x 8)
فرکانس ساعت : -
نوشتن زمان چرخه - کلمه ، صفحه : 25ns
زمان دسترسی : 25ns
رابط حافظه : Parallel
تامین کننده ولتاژ : 1.7V ~ 1.95V
دمای کارکرد : -40°C ~ 85°C (TA)
نوع نصب : Surface Mount
بسته / کیس : 67-VFBGA
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : 67-VFBGA (6.5x8)

آخرین خبرها

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

قطعات داغ