BAS19-G3-18 قیمت گذاری (USD) [2806764قطعه سهام]
- 1 pcs$0.01391
- 10,000 pcs$0.01384
- شماره قطعه:
- BAS19-G3-18
- شرکت تولید کننده:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- توصیف همراه با جزئیات:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 200mA 50ns 2.5A IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- در انبار
- ماندگاری:
- یک سال
- تراشه از:
- هنگ کنگ
- RoHS:
- روش پرداخت:
-
- راه حمل و نقل:
- دسته بندی های خانوادگی:
- شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: تریستورها - SCR ها - ماژول ها, ترانزیستور - FET ، MOSFET - RF, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Arrays, دیودها - زنر - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - تک, دیودها - یکسو کننده ها - تک and ترانزیستور - IGBTs - ماژول را ارائه می دهد ...
- مزیت رقابتی:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS19-G3-18 electronic components. BAS19-G3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19-G3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS19-G3-18 ویژگی های محصول
شماره قطعه :
BAS19-G3-18
شرکت تولید کننده :
Vishay Semiconductor Diodes Division
شرح :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
سلسله :
Automotive, AEC-Q101
وضعیت قسمت :
Active
نوع دیود :
Standard
ولتاژ - Reverse DC (Vr) (حداکثر) :
100V
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io) :
200mA
ولتاژ - به جلو (Vf) (حداکثر) @ If :
1.25V @ 200mA
سرعت :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
زمان بازیابی معکوس (trr) :
50ns
جریان - نشت معکوس @ Vr :
100nA @ 100V
Capacitance @ Vr، F :
5pF @ 0V, 1MHz
نوع نصب :
Surface Mount
بسته / کیس :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
SOT-23
دمای کارکرد - اتصال :
-55°C ~ 150°C
آخرین خبرها
شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
قطعات داغ
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54