شماره قطعه :
GSID150A120T2C1
شرکت تولید کننده :
Global Power Technologies Group
شرح :
SILICON IGBT MODULES
پیکربندی :
Three Phase Inverter
ولتاژ - جمع شونده Emitter Breakdown (حداکثر) :
1200V
جریان - جمع کننده (ضبط) (حداکثر) :
285A
Vce (روشن) (حداکثر) @ Vge ، Ic :
2.1V @ 15V, 150A
جریان - قطع گردآورنده (حداکثر) :
1mA
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce :
21.2nF @ 25V
ورودی :
Three Phase Bridge Rectifier
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
Module