Toshiba Semiconductor and Storage - TJ60S06M3L(T6L1,NQ

KEY Part #: K6419297

TJ60S06M3L(T6L1,NQ قیمت گذاری (USD) [102769قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.40559
  • 2,000 pcs$0.40357

شماره قطعه:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
شرکت تولید کننده:
Toshiba Semiconductor and Storage
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Arrays, ماژول های درایور برق, دیودها - زنر - آرایه ها, ترانزیستورها - اهداف ویژه, دیودها - یکسو کننده ها - تک, دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور), ترانزیستورها - IGBTs - Arrays and ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L(T6L1,NQ electronic components. TJ60S06M3L(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TJ60S06M3L(T6L1,NQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TJ60S06M3L(T6L1,NQ ویژگی های محصول

شماره قطعه : TJ60S06M3L(T6L1,NQ
شرکت تولید کننده : Toshiba Semiconductor and Storage
شرح : MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
سلسله : U-MOSVI
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : P-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 60V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 60A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 11.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 156nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : +10V, -20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 7760pF @ 10V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 100W (Tc)
دمای کارکرد : 175°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : DPAK+
بسته / کیس : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید