شماره قطعه :
SIHB33N60EF-GE3
شرکت تولید کننده :
Vishay Siliconix
شرح :
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
600V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
33A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
3454pF @ 100V
قطع برق (حداکثر) :
278W (Tc)
دمای کارکرد :
-55°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
D²PAK (TO-263)
بسته / کیس :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB