شماره قطعه :
EPC2101ENGRT
شرح :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
نوع FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
ویژگی FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
60V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2.7nC @ 5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
300pF @ 30V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
Die