شرکت تولید کننده :
Vishay Siliconix
شرح :
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
800V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
78nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
1300pF @ 25V
قطع برق (حداکثر) :
125W (Tc)
دمای کارکرد :
-55°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
I2PAK
بسته / کیس :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA