شماره قطعه :
DF650R17IE4BOSA1
شرکت تولید کننده :
Infineon Technologies
شرح :
MOD IGBT 650A PRIME2-1
ولتاژ - جمع شونده Emitter Breakdown (حداکثر) :
1700V
جریان - جمع کننده (ضبط) (حداکثر) :
930A
Vce (روشن) (حداکثر) @ Vge ، Ic :
2.45V @ 15V, 650A
جریان - قطع گردآورنده (حداکثر) :
5mA
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce :
54nF @ 25V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
Module