Infineon Technologies - IPB120N03S4L03ATMA1

KEY Part #: K6419596

IPB120N03S4L03ATMA1 قیمت گذاری (USD) [120440قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.30710
  • 1,000 pcs$0.28172

شماره قطعه:
IPB120N03S4L03ATMA1
شرکت تولید کننده:
Infineon Technologies
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Arrays, دیودها - زنر - تک, تریستورها - TRIAC, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها, دیودها - یکسو کننده های پل, دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور), ترانزیستورها - IGBTs - Arrays and تریستورها - DIAC ، SIDAC را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Infineon Technologies IPB120N03S4L03ATMA1 electronic components. IPB120N03S4L03ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB120N03S4L03ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB120N03S4L03ATMA1 ویژگی های محصول

شماره قطعه : IPB120N03S4L03ATMA1
شرکت تولید کننده : Infineon Technologies
شرح : MOSFET N-CH TO263-3
سلسله : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : N-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 30V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 2.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±16V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 5300pF @ 25V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 79W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : D²PAK (TO-263AB)
بسته / کیس : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید