شماره قطعه :
IPB120N03S4L03ATMA1
شرکت تولید کننده :
Infineon Technologies
شرح :
MOSFET N-CH TO263-3
سلسله :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
30V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
5300pF @ 25V
قطع برق (حداکثر) :
79W (Tc)
دمای کارکرد :
-55°C ~ 175°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
D²PAK (TO-263AB)
بسته / کیس :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB