Vishay Siliconix - IRFBE30PBF

KEY Part #: K6408578

IRFBE30PBF قیمت گذاری (USD) [47959قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.73167
  • 10 pcs$0.66185
  • 100 pcs$0.53191
  • 500 pcs$0.41369
  • 1,000 pcs$0.32424

شماره قطعه:
IRFBE30PBF
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستور - IGBTs - تک, دیودها - RF, تریستورها - SCR, ترانزیستور - IGBTs - ماژول, دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها, ترانزیستورها - اهداف ویژه, ترانزیستورها - IGBTs - Arrays and دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور) را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix IRFBE30PBF electronic components. IRFBE30PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBE30PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBE30PBF ویژگی های محصول

شماره قطعه : IRFBE30PBF
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
سلسله : -
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : N-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 800V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 1300pF @ 25V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 125W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Through Hole
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : TO-220AB
بسته / کیس : TO-220-3

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید